[چیزهایی درباره شرکت های روشنایی فهرست شده] Osram کارایی LED های سبز را تا حد زیادی بهبود می بخشد و عمر باتری ردیاب های تناسب اندام را بهبود می بخشد.

افت قابل توجه در خروجی نور (پدیده شکاف سبز) نشان داده شده توسط LED های سبز اغلب علت مشکلات کارایی و هزینه های بالا در کاربردهای مشتری است. Osram Opto Semiconductors برای LED های سبز رنگ خود بر پایه نیترید گالیوم ایندیم (InGaN)، توانسته است ولتاژ رو به جلو معمولی را تا حدود 600 میلی ولت به میزان قابل توجهی کاهش دهد. با افزایش همزمان قدرت خروجی نوری، مشتریان بلافاصله از افزایش بازدهی تا 40 درصد نسبت به نسل قبلی در کل مجموعه UX:3 Osram بهره مند می شوند.

OSRAM Opto Semiconductors اکنون موفق شده است ولتاژ رو به جلو معمولی LED های سبز را کاهش دهد.

توسعه دهندگان Osram Opto Semiconductors موفق شدند ولتاژ رو به جلو معمولی یک LED InGaN با ساطع مستقیم سبز با چگالی توان 45 A/cm2 را با 600 میلی ولت به 2.6 ولت کاهش دهند. مزایا قابل توجه است، به خصوص در صورت استفاده از قرمز، آبی و سبز. در کاربردهای ترکیبی LED از آنجایی که هر سه رنگ اکنون کمتر از 3 ولت هستند، درایورهایی که قبلا برای حداکثر ولتاژ بالاتر طراحی شده بودند، اکنون می توانند اندازه آنها را کاهش دهند. این به نوبه خود باعث کاهش تلفات توان اتلاف کننده و هزینه می شود. عوامل کلیدی برای افزایش کارایی، بهبود انتقال حامل بار و کیفیت مواد بهینه در لایه همپایی است.

با استفاده از فناوری جدید، بازده 175 lm/W در 350 میلی آمپر، طول موج تراشه 1mm2UX:3 در حدود 530 نانومتر به دست می‌آید. با جریان پمپ 1 A، خروجی نور مطلق بیش از 300 لومن است و کاربردهای جدیدی را برای مشتریان به ارمغان می آورد.

"تا همین اواخر، این مقادیر کارایی برای LED های InGaN با ساطع مستقیم سبز غیرقابل دستیابی به نظر می رسید. اکنون ما در حال حرکت به سمت مناطقی هستیم که تاکنون فقط با تابشگرهای تبدیل شده به فسفر قابل دستیابی بودند، اما با کیفیت طیفی بسیار پایین تر. با تشکر از تیم توسعه ما با این موفقیت، آدام بائر، مدیر پروژه Osram Opto Semiconductors می گوید: ما توانسته ایم پدیده شکاف سبز را به طور قابل توجهی برای مشتریان خود کاهش دهیم.

این تیم اکنون در حال کار بر روی اصلاحات بیشتر است که پتانسیل مشهود در یافته های اخیر را ارائه می دهد.